--行業一流的IP和多個FinFET / 2.5D產品項目的啟動及快速發展的步伐

　　加利福尼亞州圣何塞, Feb. 14, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 作為領先的FinFET ASIC供應商以及提供市場專用IP平臺和先進的2.5D封裝解決方案的eSilicon，今天宣布其部署了該公司在一級FinFET ASIC市場中的增長以及實現了服務于高帶寬網絡，高性能計算，AI和5G基礎設施的多個里程碑。

　　為了能夠服務于這些市場，關鍵點在于包括在先進工藝節點中驗證的尖端，高性能，差異化半導體IP，成功設計和制造復雜的FinFET級ASIC以及2.5D的專業封裝設計和制造，其中還包括HBM內存堆棧的集成。

　　去年秋天，eSilicon宣布推出了用于AI ASIC設計的neuASIC™ IP平臺。創新的IP平臺包括HBM2 PHY和AI mega / giga單元，包括卷積引擎和加速器構建器軟件，均采用7nm技術驗證。在同一時間段內，該公司宣布其56G長程 7nm DSP SerDes已經被許可認證。

　　2019年1月，eSilicon宣布推出一種新的高性能測試系統，以方便客戶驗證其SerDes IP。在最近的DesignCon展會上，eSilicon展示了新的測試系統及其SerDes以56Gbps的速度驅動5米長的銅纜，錯誤率極低。該SerDes IP正在進行多項客戶合作，客戶正在驗證其一流的功能并給予反饋。同時在1月，eSilicon宣布成立一個技術顧問委員會，為其人工智能計劃提供支持，由三位來自學術界和工業界的著名技術人員組成。

　　該公司正在積極進行兩個項目的批量生產均運用FinFET設計及其HBM2 PHY的2.5D封裝技術。所有性能參數都得到滿足，兩種設計都有望在今年實現全面生產。其中一個設計是有史以來eSilicon設計的最大的ASIC 芯片，它同時也是半導體芯片廠商生產制造的最大尺寸芯片。

　　“我們的客戶需要一流的IP，先進的ASIC和封裝設計專業技術知識以及豐富的資源和廣泛的技術深度，以促進最終集成電路芯片的生產，”eSilicon戰略和產品副總裁Hugh Durdan說。 “我很高興地說，我們正在給客戶提供全方位的服務。最近，一級客戶報告說他們通常對所有IP都持批評態度，然而，在對我們的SerDes進行詳細評估后，他們找不到任何瑕疵。“

　　eSilicon將于2月18日在舊金山的ISSCC上展示“運用7nm FinFET的Sub-250mW 1至56Gb/s連續范圍PAM-4 42.5dB IL ADC / DAC的收發器”。當天該公司也將在ISSCC現場展示示范其SerDes的 運用。您還可以在3月5日至7日在圣地亞哥的OFC(5416號展臺)找到eSilicon，該公司將展示兩個高速SerDes和一個HBM2 PHY的運用。

　　您可以在此處了解有關eSilicon的FinFET ASIC功能，此處的高級網絡IP平臺或其neuASIC AI平臺的更多信息。如需進一步調查，請直接或通過sales@esilicon.com聯系您的eSilicon銷售代表。

　　關于eSilicon

　　eSilicon提供復雜的FinFET ASIC設計，市場特定的IP平臺和先進的2.5D封裝解決方案。我們經過ASIC驗證的差異化IP包括了高度可配置的7nm 56G / 112G SerDes以及網絡優化的16/14 / 7nm FinFET IP平臺，并包含HBM2 PHY，TCAM以及專用存儲器編譯器和I / O庫。我們的neuASIC™平臺提供AI專用IP和模塊化設計方法，以創建適應性強，高效的AI ASIC芯片。 eSilicon服務于高帶寬網絡，高性能計算，AI和5G基礎設施市場。 www.esilicon.com

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　　eSilicon是注冊商標，eSilicon標識，neuASIC和“協作精神，與眾不同，共同收獲“是eSilicon Corporation的商標。其他商標均為其各自所有者的財產。

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